• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET 60V 200A 375W D2PAK Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 60V 200A 375W D2PAK Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 60V 200A 375W D2PAK Tranzistor

CSD18536KTTT
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
54,04 lei
44,66 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 200A Idm: 400A 375W D2PAK de la TEXAS INSTRUMENTS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface nevoile celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor are o putere disipată impresionantă de 375W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Cu un curent de drenă în impuls de 400A și un curent de drenă continuu de 200A, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de putere mari.

Carcasa D2PAK oferă o montare simplă și sigură, în timp ce subtipul de ambalaj în rolă și bandă facilitează integrarea acestui tranzistor în designurile dvs. SMD. Cu o tensiune drenă-sursă de 60V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor asigură o performanță excelentă în aplicațiile dvs. NexFET™ este tehnologia de ultimă generație utilizată în acest tranzistor, asigurând o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 2,2mΩ.

Subtipul de canal îmbogățit și încărcătura poartă de 108nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de performanță. Cu TEXAS INSTRUMENTS ca producător, puteți avea încredere în calitatea și fiabilitatea acestui tranzistor. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET de la TEXAS INSTRUMENTS pentru o performanță superioară și o durabilitate de lungă durată în aplicațiile dvs. electrifice.
Detalii
CSD18536KTTT

Fisa tehnica

Producător
TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
375W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
Curent de drenă în impuls
400A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
200A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2,2mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
108nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
NexFET™

Coduri specifice

cod EAN13
5948081305254
Cod MPN
CSD18536KTTT
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET unipolar 60V 4A 3,3W SOT223 cu protecție ESD - Componentă electronică de înaltă performanță | Electronic-mag
11,35 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET unipolar 60V 4A 3,3W SOT223 cu protecție ESD - Componentă electronică de înaltă performanță
In stoc