• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 100V 120A 375W D2PAK TO-263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 120A 375W D2PAK TO-263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 120A 375W D2PAK TO-263

SQM120N10-3M8-GE3
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; D2PAK,TO263
39,70 lei
32,81 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 120A 375W D2PAK, TO263 de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice care necesită o performanță excelentă. Acest tranzistor vine cu o serie de caracteristici importante care îl fac o alegere excelentă pentru proiectele dumneavoastră.

Producătorul acestui tranzistor este VISHAY, garantând calitate și fiabilitate. Montarea SMD facilitează integrarea acestuia în diverse aplicații electronice. Carcasele D2PAK și TO263 asigură o disipare eficientă a căldurii, contribuind la o funcționare optimă a dispozitivului.

Cu o putere disipată de 375W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de mare intensitate. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 120A îl fac potrivit pentru aplicații exigente. De asemenea, tensiunea drenaj-sursă de 100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V îl fac un tranzistor versatil.

Rezistența în timpul funcționării de 3,8mΩ și subtipul canal îmbogățit contribuie la eficiența și performanța acestui tranzistor. Încărcătura poartă de 125nC și tipul N-MOSFET completează caracteristicile impresionante ale acestui produs de la VISHAY. Optați pentru acest tranzistor pentru proiectele dumneavoastră electronice și veți beneficia de performanță și fiabilitate de top.
Detalii
SQM120N10-3M8-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Putere disipată
375W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
TO263
Polarizare
unipolar
Curent drenă
120A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
3,8mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
125nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod UPC
594055654030
cod EAN13
5940627847280
Cod MPN
SQM120N10-3M8_GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: