• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 100V 200A 250W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 200A 250W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 200A 250W D2PAK

CSD19532KTTT
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
17,04 lei
14,08 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 200A Idm: 400A 250W D2PAK de la TEXAS INSTRUMENTS este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale deosebite, cum ar fi carcasa D2PAK, care asigură o montare simplă și eficientă în aplicații SMD.

Cu o putere disipată de 250W și un curent de drenă în impuls de 400A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de mare intensitate fără probleme. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și eficientă, în timp ce tensiunea drenă-sursă de 100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit utilizarea sa într-o gamă variată de aplicații.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 6,6mΩ, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în ceea ce privește disiparea căldurii și eficiența energetică. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 44nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță.

Tipul tranzistorului este N-MOSFET, iar tehnologia sa NexFET™ garantează o funcționare fiabilă și performanțe superioare în diferite condiții de utilizare. Cu TEXAS INSTRUMENTS ca producător, puteți avea încredere că acest tranzistor este de cea mai înaltă calitate și va satisface cerințele dvs. în mod optim.
Detalii
CSD19532KTTT

Fisa tehnica

Producător
TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
250W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
Curent de drenă în impuls
400A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
200A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
6,6mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
44nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
NexFET™

Coduri specifice

cod EAN13
5945010547396
Cod MPN
CSD19532KTTT
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 1.2A 1.8W SOT223 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componen

Cod: BSP296NH6327XTSA1

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 1.2A 1.8W SOT223 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1,2A; 1,8W; SOT223
3,30 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 1.2A 1.8W SOT223 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc