• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 75V 34.1A 106W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 75V 34.1A 106W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 75V 34.1A 106W

BUK9Y19-75B.115
NEXPERIA
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 34,1A; Idm: 192A; 106W
10,51 lei
8,69 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 75V 34,1A Idm: 192A 106W de la NEXPERIA este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Cu o putere disipată impresionantă de 106W, acest tranzistor este ideal pentru utilizare în domeniul auto. Montarea sa de tip SMD îl face ușor de integrat în diverse sisteme electronice, iar carcasele PowerSO8, LFPAK56 și SOT669 oferă opțiuni flexibile de instalare.

Cu un curent de drenaj în impuls de 192A și un curent de drenaj continuu de 34,1A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere ridicate fără probleme. Tensiunea drenaj-sursă de 75V și tensiunea poartă-sursă de ±15V îl fac potrivit pentru aplicații sensibile la tensiune. Rezistența redusă în timpul funcționării de 48mΩ asigură eficiență și performanță optimă.

Tranzistorul N-MOSFET de la NEXPERIA este polarizat unipolar și are un subtip de canal îmbogățit. Cu o încărcătură de poartă de 30nC, acest tranzistor oferă comutare rapidă și fiabilă. În plus, tipul N-MOSFET este cunoscut pentru performanța sa de top în aplicații de putere.

Cu caracteristici tehnice impresionante și fiabilitate superioară, tranzistorul N-MOSFET unipolar 75V 34,1A Idm: 192A 106W de la NEXPERIA este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită un nivel ridicat de performanță și eficiență.
Detalii
NEXPERIA
BUK9Y19-75B.115

Fisa tehnica

Producător
NEXPERIA
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
106W
Utilizare
domeniul auto
Montare
SMD
Carcasă
LFPAK56
PowerSO8
SOT669
Curent de drenă în impuls
192A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
34,1A
Tensiune drenă-sursă
75V
Tensiune poartă-sursă
±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
48mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
30nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod UPC
594458522608
cod EAN13
5948361902791
Cod MPN
BUK9Y19-75B,115
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 4,9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compo

Cod: IRFR120PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 4,9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,9A; 42W; DPAK,TO252
7,68 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 4,9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc