N-MOSFET RF Tranzistor 20V 1A 3W SOT89

Tranzistorul N-MOSFET unipolar RF 20V 1A 3W SOT89 de la TOSHIBA este un produs de înaltă calitate, cu caracteristici impresionante. Acesta este proiectat pentru a oferi performanțe superioare în aplicațiile RF. Cu o putere disipată de 3W și o montare electrică de tip SMT, acest tranzistor este ideal pentru proiectele care necesită o frecvență de lucru de până la 520MHz. Eficiența sa de 45% și puterea de ieșire de 630mW îl fac o alegere excelentă pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de performanță. Polarizarea unipolară, curentul de drenaj de 1A și tensiunea drenaj-sursă de 20V îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu un subtip de canal sărăcit și o amplificare de 14,9dB, acest tranzistor este perfect pentru proiectele care necesită un semnal RF puternic și clar. Fiind un tranzistor N-MOSFET de tip RF, acesta oferă o calitate superioară a semnalului și o performanță fiabilă. Cu un subtip de ambalaj în rolă și bandă, carcasă SOT89 și tensiune poartă-sursă de ±10V, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite tipuri de circuite. Cu Toshiba ca producător de încredere, puteți avea încredere că acest tranzistor vă va satisface toate cerințele de proiectare.