Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 500V 6.3A 125W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 500V 6.3A 125W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 500V 6.3A 125W D2PAK

STB11NK50ZT4
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6,3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
20,26 lei
16,74 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 500V 6,3A Idm: 40A 125W D2PAK fabricat de STMicroelectronics este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o funcționare fiabilă și eficientă. Montarea sa de tip SMD și carcasa D2PAK îl fac ușor de integrat în diverse sisteme electronice.

Cu o putere disipată de 125W, acest tranzistor oferă caracteristici semiconductoare de încredere, inclusiv o poartă protejată împotriva descărcărilor electrostatice (ESD). Cu un curent de drenaj în impuls de 40A și un curent de drenaj de 6,3A, acesta poate gestiona sarcini de putere semnificative.

Polarizarea unipolară și tensiunea drenaj-sursă de 500V fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații de comutare de putere. Tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură o funcționare stabilă și precisă, în timp ce rezistența sa în timpul funcționării de 0,52Ω îmbunătățește eficiența energetică.

Cu un subtip de canal îmbogățit și tehnologia SuperMesh™, acest tranzistor N-MOSFET oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Indiferent de aplicația dvs., acest tranzistor de la STMicroelectronics va satisface cu siguranță cerințele dvs. de proiectare electronică.
Detalii
STMicroelectronics
STB11NK50ZT4

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Putere disipată
125W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Curent de drenă în impuls
40A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
6,3A
Tensiune drenă-sursă
500V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,52Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SuperMesh™

Coduri specifice

cod EAN13
5944032382466
Cod MPN
STB11NK50ZT4
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compone

Cod: BSC093N04LSGATMA1

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
6,93 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc