Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 800V 1.9A 24W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 1.9A 24W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 1.9A 24W

IPD80R2K0P7
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,9A; 24W; PG-TO252-3
9,49 lei
7,84 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe ale clienților. Montat în tehnologia SMD și având o carcasă PG-TO252-3, acest tranzistor oferă o putere disipată de 24W, asigurând o performanță excelentă în aplicațiile sale.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o poartă protejată ESD, polarizare unipolară și curent de drenare de 1,9A. Cu o tensiune drenaj-sursă de 800V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor asigură o funcționare fiabilă și eficientă.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 2Ω, subtipul canalului îmbogățit și o încărcătură de poartă de 9nC, acest tranzistor N-MOSFET este potrivit pentru o gamă variată de aplicații. Tehnologia CoolMOS™ P7 asigură performanțe superioare și durabilitate pe termen lung.

În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,9A 24W PG-TO252-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea ideală pentru cei care caută un produs de încredere și performant în domeniul electronicelor.
Detalii
IPD80R2K0P7

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată
24W
Montare
SMD
Carcasă
PG-TO252-3
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
1,9A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
9nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolMOS™ P7

Coduri specifice

cod EAN13
5945140503040
Cod MPN
IPD80R2K0P7ATMA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 4,9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compo

Cod: IRFR120PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 4,9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,9A; 42W; DPAK,TO252
7,68 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 4,9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMO10N60C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
4,01 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc