• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 200V 13,3A 140W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 13,3A 140W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 13,3A 140W D2PAK

FQB19N20LTM
ONSEMI
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13,3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
15,49 lei
12,80 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la ONSEMI este un component electronic de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 200V și un curent de drenă de 13,3A, oferind o putere disipată de 140W. Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,15Ω, acest tranzistor este ideal pentru aplicații de putere medie și mare. Montarea sa este realizată în format SMD, în carcasă D2PAK, asigurând o instalare ușoară și fiabilă.

Cu o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor N-MOSFET oferă performanțe excelente în aplicații cu cerințe ridicate. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și o încărcătură poartă de 35nC asigură o funcționare stabilă și eficientă. Tehnologia QFET® utilizată în acest tranzistor garantează o fiabilitate ridicată și o durată lungă de viață.

Cu ONSEMI ca producător de încredere, puteți fi sigur că tranzistorul N-MOSFET unipolar de 200V și 13,3A este o alegere excelentă pentru proiectele dvs. electronice. Fiind disponibil în role și benzi, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații, de la surse de alimentare la amplificatoare de putere. Alegeți performanța și fiabilitatea cu tranzistorul N-MOSFET de la ONSEMI!
Detalii
ONSEMI
FQB19N20LTM

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
140W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
Curent de drenă în impuls
84A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
13,3A
Tensiune drenă-sursă
200V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,15Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
35nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
QFET®

Coduri specifice

cod UPC
594763845065
cod EAN13
5948480283542
Cod MPN
FQB19N20LTM
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 4.9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică pentru Circuit Integrat | Electronic-mag.ro | Com

Cod: IRLR120TRPBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 4.9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică pentru Circuit Integrat

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,9A; 42W; DPAK,TO252
9,11 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 4.9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică pentru Circuit Integrat
In stoc