• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 500V 5,1A 125W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 500V 5,1A 125W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 500V 5,1A 125W

IRF840ASPBF
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W
21,59 lei
17,84 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul VISHAY N-MOSFET unipolar 500V 5,1A Idm: 32A 125W este un produs de înaltă performanță, conceput pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici tehnice impresionante, precum puterea disipată de 125W, curentul de drenă în impuls de 32A și polarizarea unipolară.

Cu o montare de tip SMD și carcase D2PAK și TO263, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 0,85Ω, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de utilizare. De asemenea, subtipul de canal îmbogățit și încărcătura de poartă de 38nC contribuie la performanța excepțională a acestui tranzistor.

Cu o tensiune drenă-sursă de 500V, tensiune poartă-sursă de ±30V și un curent de drenă de 5,1A, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a semnalului. Fiind un N-MOSFET, acest tranzistor oferă avantaje semnificative în ceea ce privește consumul de energie și performanța generală a circuitului electronic.

În concluzie, tranzistorul VISHAY N-MOSFET unipolar 500V 5,1A Idm: 32A 125W este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o soluție de înaltă calitate și fiabilitate în domeniul electronicelor.
Detalii
IRF840ASPBF

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
125W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
TO263
Curent de drenă în impuls
32A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
5,1A
Tensiune drenă-sursă
500V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,85Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
38nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5946474380970
Cod MPN
IRF840ASPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMO10N60C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
4,01 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 20A Idm 116A 68W PG-TO252-3 - Componentă Electronică de Putere | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: IPD350N06LGBTMA1

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 20A Idm 116A 68W PG-TO252-3 - Componentă Electronică de Putere

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
12,29 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 20A Idm 116A 68W PG-TO252-3 - Componentă Electronică de Putere
In stoc