N-MOSFET 350V 0.18A 360mW SOT23-3

Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la MICROCHIP TECHNOLOGY este un component electronic de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe superioare în diverse aplicații. Acest tranzistor are o tensiune de drenă-sursă de 350V și o putere disipată de 0,36W, asigurând o funcționare fiabilă și eficientă. Cu un curent de drenă în impuls de 0,18A și o rezistență în timpul funcționării de 35Ω, acest tranzistor este potrivit pentru sarcini de putere medie.

Beneficiind de o polarizare unipolară și o tensiune poartă-sursă de ±20V, tranzistorul este ideal pentru aplicații sensibile la tensiune. Cu un subtip de canal sărăcit și un tip N-MOSFET, acesta oferă performanțe superioare într-un pachet compact SOT23-3, ușor de montat pe plăci de circuit imprimate. Disponibil în ambalaje de rolă sau bandă, acest tranzistor este potrivit pentru producția în serie și integrarea în designuri electronice complexe.

Cu MICROCHIP TECHNOLOGY ca producător de încredere, puteți avea încredere că acest tranzistor N-MOSFET unipolar va satisface cerințele dvs. de performanță și fiabilitate. Investiți în calitate și eficiență cu acest tranzistor de înaltă calitate!