Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la ONSEMI este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface nevoile exigente ale aplicațiilor moderne. Cu o putere disipată de 83W și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor este ideal pentru sarcini de curent ridicate. Montarea sa de tip SMD îl face ușor de integrat într-o varietate de circuite electronice, iar carcasa DPAK oferă o protecție fiabilă împotriva supratensiunilor.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 64mΩ, acest tranzistor asigură o disipare eficientă a căldurii și o funcționare stabilă în condiții de solicitare intensă. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru aplicații de comutare de înaltă frecvență. Cu un curent de drenă de 6,2A și un curent de drenă în impuls de 60A, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de putere mari fără probleme.
Tehnologia PowerTrench® oferă fiabilitate și performanță superioară, în timp ce tensiunea poartă-sursă de ±20V și încărcătura poartă de 31nC asigură o funcționare precisă și stabilă într-o gamă largă de aplicații. Cu ONSEMI ca producător de încredere, puteți avea încredere că acest tranzistor N-MOSFET unipolar va satisface cerințele dvs. de proiectare electronică.