• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 100V 6,2A 83W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 6,2A 83W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 6,2A 83W DPAK

FDD3860
ONSEMI
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6,2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
8,14 lei
6,73 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la ONSEMI este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface nevoile exigente ale aplicațiilor moderne. Cu o putere disipată de 83W și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor este ideal pentru sarcini de curent ridicate. Montarea sa de tip SMD îl face ușor de integrat într-o varietate de circuite electronice, iar carcasa DPAK oferă o protecție fiabilă împotriva supratensiunilor.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 64mΩ, acest tranzistor asigură o disipare eficientă a căldurii și o funcționare stabilă în condiții de solicitare intensă. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru aplicații de comutare de înaltă frecvență. Cu un curent de drenă de 6,2A și un curent de drenă în impuls de 60A, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de putere mari fără probleme.

Tehnologia PowerTrench® oferă fiabilitate și performanță superioară, în timp ce tensiunea poartă-sursă de ±20V și încărcătura poartă de 31nC asigură o funcționare precisă și stabilă într-o gamă largă de aplicații. Cu ONSEMI ca producător de încredere, puteți avea încredere că acest tranzistor N-MOSFET unipolar va satisface cerințele dvs. de proiectare electronică.
Detalii
ONSEMI
FDD3860

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
83W
Montare
SMD
Carcasă
DPAK
Curent de drenă în impuls
60A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
6,2A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
64mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
31nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
PowerTrench®

Coduri specifice

cod UPC
594382285532
cod EAN13
5949004969676
Cod MPN
FDD3860
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: