Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 30V 50A 3,3x3,3mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 30V 50A 3,3x3,3mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 30V 50A 3,3x3,3mm

CSD17308Q3T
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2,7W; 3,3x3,3mm
11,01 lei
9,10 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la TEXAS INSTRUMENTS este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor este ideal pentru utilizarea în dispozitive care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului.

Cu o putere disipată de 2,7W și o dimensiune compactă de 3,3x3,3mm, acest tranzistor oferă o soluție eficientă din punct de vedere al spațiului pentru proiectele dvs. electronice. Cu un curent de drenaj în impuls de până la 167A și o curent de drenaj continuu de 50A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere ridicate fără efort.

Cu o tensiune drenaj-sursă de 30V și o tensiune poartă-sursă de ±10V, acest tranzistor oferă o stabilitate excelentă în timpul funcționării. Cu o rezistență de doar 9,4mΩ, acest tranzistor asigură o conducere eficientă a curentului.

Tranzistorul N-MOSFET de la TEXAS INSTRUMENTS este echipat cu tehnologia NexFET™, care asigură performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 3,9nC, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului.
Detalii
TEXAS INSTRUMENTS
CSD17308Q3T

Fisa tehnica

Producător
TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
2,7W
Montare
SMD
Dimensiuni
3,3x3,3mm
Carcasă
VSON-CLIP8
Curent de drenă în impuls
167A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
50A
Tensiune drenă-sursă
30V
Tensiune poartă-sursă
±10V
Rezistenţă în timpul funcţionării
9,4mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
3,9nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
NexFET™

Coduri specifice

cod EAN13
5944588247639
Cod MPN
CSD17308Q3T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 1,5A 1,1W SOT26 - Componentă Electronică pentru Circuit Integrat | Electronic-mag.ro | Compone

Cod: ZXMN10B08E6TA

Marca: DIODES INCORPORATED

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 1,5A 1,1W SOT26 - Componentă Electronică pentru Circuit Integrat

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1,5A; 1,1W; SOT26
9,39 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 1,5A 1,1W SOT26 - Componentă Electronică pentru Circuit Integrat
In stoc