• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET unipolar 200V 0,53A 1,8W SOT223 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET unipolar 200V 0,53A 1,8W SOT223 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET unipolar 200V 0,53A 1,8W SOT223

BSP149H6327XTSA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,53A; Idm: 2,6A; 1,8W; SOT223
12,20 lei
10,08 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 200V 0,53A Idm: 2,6A 1,8W SOT223 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului.

Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici deosebite precum carcasa SOT223, care facilitează montarea în tehnologia SMD, puterea disipată de 1,8W și curentul de drenă în impuls de 2,6A, oferind astfel o funcționare fiabilă și durabilă.

Cu o polarizare unipolară și un curent de drenă de 0,53A, acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 200V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, ceea ce îl face potrivit pentru o gamă variată de aplicații electronice.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 3,5Ω, subtipul canalului sărăcit și tehnologia SIPMOS™, tranzistorul N-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele ce necesită eficiență energetică și fiabilitate ridicată.
Detalii
BSP149H6327XTSA1

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată
1,8W
Montare
SMD
Carcasă
SOT223
Curent de drenă în impuls
2,6A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
0,53A
Tensiune drenă-sursă
200V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
3,5Ω
Subtip canal
sărăcit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SIPMOS™

Coduri specifice

cod EAN13
5941757107381
Cod MPN
BSP149H6327XTSA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: