Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la ONSEMI este o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită o performanță de înaltă calitate. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată de 29W și un curent de drenă în impuls de 40A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o capacitate de curent mare. Cu o tensiune drenă-sursă de 30V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor poate gestiona sarcini variate cu ușurință.
Carcasa WDFN8 și montarea de tip SMD fac ca acest tranzistor să fie ușor de integrat în diferite dispozitive electronice. Rezistența în timpul funcționării de 12mΩ asigură o dissipare eficientă a căldurii, ceea ce contribuie la durabilitatea tranzistorului. Subtipul canalului este îmbogățit, iar polarizarea este unipolară, oferind o funcționare stabilă și fiabilă.
Cu un curent de drenă de 16A și o încărcătură de poartă de 29nC, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a semnalului. Tipul tranzistorului este N-MOSFET, ceea ce îl face ideal pentru aplicații cu tensioni de alimentare mai mici. În plus, acest tranzistor vine într-un ambalaj de rolă sau bandă, ușor de utilizat în producția în serie. Alegeți tranzistorul N-MOSFET unipolar de la ONSEMI pentru proiectele dvs. electronice de încredere și de înaltă performanță.