• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET TrenchFET 30V 100A 400A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET TrenchFET 30V 100A 400A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET TrenchFET 30V 100A 400A

SIRA90DP-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
17,25 lei
14,26 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Detalii
SIRA90DP-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
66,6W
Montare
SMD
Carcasă
PowerPAK® SO8
Curent de drenă în impuls
400A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
100A
Tensiune drenă-sursă
30V
Tensiune poartă-sursă
-16...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,15mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
153nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5946466114095
Cod MPN
SIRA90DP-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: