Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7

Tranzistor N-MOSFET 60V 240A 375W D2PAK-7 INFINEON TECHNOLOGIES

IRFS7530TRL7PP
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
30,00 lei
24,79 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor N-MOSFET 60V 240A 375W D2PAK-7 INFINEON TECHNOLOGIES este soluția ideală pentru aplicații de putere ridicată, oferind performanțe excepționale în condiții de utilizare variate. Producătorul INFINEON TECHNOLOGIES garantează calitate și fiabilitate, asigurând o montare simplă prin tehnologia SMD. Cu o carcasă D2PAK-7, acest tranzistor este proiectat pentru disiparea unei puteri de până la 375W, având un curent drenă de 240A și o tensiune drenă-sursă de 60V, ceea ce îl face potrivit pentru cele mai exigente aplicații electrice.

Denumirea comercială StrongIRFET denotă eficiența sa ridicată, cu o polarizare unipolară care permite un control precis al curentului. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de doar 1,4mΩ asigură o performanță superioară, reducând pierderile de energie. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 236nC contribuie la o reacție rapidă și eficientă.

Acest tranzistor N-MOSFET, bazat pe tehnologia HEXFET®, este alegerea perfectă pentru aplicații de alimentare, comutare și control, oferind o soluție robustă și eficientă pentru inginerii care caută excelența în proiectele lor electronice.
Detalii
IRFS7530TRL7PP

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată
375W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK-7
Denumire comercială
StrongIRFET
Polarizare
unipolar
Curent drenă
240A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,4mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
236nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5941813988619
Cod MPN
IRFS7530TRL7PP
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET unipolar 100V 1,9A 2W SOT223 - Componentă electronică pentru aplicații de putere | Electronic-mag.ro | Compo

Cod: ZXMN10A11GTA

Marca: DIODES INCORPORATED

Tranzistor N-MOSFET unipolar 100V 1,9A 2W SOT223 - Componentă electronică pentru aplicații de putere

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1,9A; 2W; SOT223
9,76 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET unipolar 100V 1,9A 2W SOT223 - Componentă electronică pentru aplicații de putere
In stoc