Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 15A Idm: 40A 125W, MSC180SMA120S de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs inovator și de înaltă performanță. Acest tranzistor este montat în tehnologie SMD și are o carcasă D3PAK, ceea ce îl face potrivit pentru o gamă variată de aplicații electronice.
Cu o putere disipată de 125W și un curent de drenă în impuls de 40A, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în condiții de funcționare intense. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 15A asigură o funcționare stabilă și fiabilă în timp.
Tensiunea drenă-sursă de 1.2kV și rezistența în timpul funcționării de 0.225Ω fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații care necesită o putere mare și o eficiență ridicată. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 34nC optimizează performanța dispozitivului.
Cu tipul de tranzistor N-MOSFET, acest produs este proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe ale industriei electronice. Indiferent de aplicația dvs., Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 15A Idm: 40A 125W, MSC180SMA120S de la MICROCHIP (MICROSEMI) va oferi performanță și fiabilitate de încredere.
Detalii
MSC180SMA120S
Fisa tehnica
Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată
125W
Montare
SMD
Carcasă
D3PAK
Curent de drenă în impuls
40A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
15A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
1.2kV
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,225Ω
0.225Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
34nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC
Coduri specifice
cod UPC
594423447547
cod EAN13
5942827157459
Cod MPN
MSC180SMA120S
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.