Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface nevoile celor mai exigente aplicații electronice. Cu o tensiune de drenaj-sursă de 600V și un curent de drenaj de 50A, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații de putere. Carcasa TO247-3 asigură o montare ușoară și fiabilă, în timp ce rezistența redusă în timpul funcționării de doar 73mΩ îmbunătățește eficiența și fiabilitatea dispozitivului.
Cu o putere disipată impresionantă de 660W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari fără probleme. Elementele semiconductoare de clasă x ultra junction asigură performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Polarizarea unipolară și timpul de restabilire rapid de 195ns fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații sensibile la timp.
Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 116nC completează caracteristicile excelente ale acestui tranzistor N-MOSFET. Cu un design solid și performanțe remarcabile, acest produs de la IXYS este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră de electronică de putere.
Detalii
IXFH50N60X
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
660W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare
ultra junction x-class
Polarizare
unipolar
Curent drenă
50A
Tensiune drenă-sursă
600V
Rezistenţă în timpul funcţionării
73mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
116nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
195ns
Coduri specifice
cod UPC
594819022341
cod EAN13
5941471739974
Cod MPN
IXFH50N60X
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.