Tranzistorul N-MOSFET unipolar 900V 2,3A 125W TO220AB de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor are o putere disipată de 125W, ceea ce îl face potrivit pentru utilizare în medii cu cerințe ridicate de putere. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 900V, acest tranzistor oferă performanțe excelente în condiții de lucru variate.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 3,7Ω și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor asigură o funcționare stabilă și fiabilă pe termen lung. De asemenea, are o încărcătură de poartă de 78nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu comutare rapidă.
Datorită montării THT și carcasei TO220AB, acest tranzistor este ușor de instalat și se potrivește perfect într-o varietate de aplicații. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă flexibilitate și versatilitate în proiectele dumneavoastră electronice.
În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 900V 2,3A 125W TO220AB de la VISHAY este alegerea perfectă pentru cei care caută un produs fiabil, puternic și versatil pentru proiectele lor electronice.
Detalii
IRFBF30
Fisa tehnica
Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
125W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
2,3A
Tensiune drenă-sursă
900V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
3,7Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
78nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Coduri specifice
cod EAN13
5945261863917
Cod MPN
IRFBF30PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.