Tranzistor N-MOSFET 200V 75A 830W

Tranzistorul IXYS N-MOSFET Trench™ unipolar 200V 75A Idm: 320A 830W este un dispozitiv de putere de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele aplicațiilor cu consum ridicat de energie. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale tehnice deosebite, precum carcasa TO3P durabilă și montarea pe componentă THT pentru o integrare simplă în circuitele existente. Cu o putere disipată de 830W și o rezistență în timpul funcționării de 16mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o performanță fiabilă pe termen lung.

Caracteristicile elementelor semiconductoare de tip thrench gate power mosfet și subtipul canal îmbogățit asigură o funcționare optimă în aplicațiile cu cerințe ridicate de curent și tensiune. Tensiunea drenă-sursă de 200V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit o polarizare precisă și o protecție împotriva supratensiunilor. Cu un curent de drenă de 75A și un curent de drenă în impuls de 320A, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații industriale și comerciale care necesită o gestionare eficientă a puterii.

Timpul de restabilire rapid de 150ns și încărcătura poartă de 150nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații sensibile la timp și la semnal, în timp ce tehnologia Trench™ inovatoare asigură o performanță superioară și o durată lungă de viață a dispozitivului. Cu o gamă largă de caracteristici și specificații avansate, tranzistorul IXYS N-MOSFET Trench™ este alegerea perfectă pentru proiectele de inginerie electronică care necesită fiabilitate și eficiență.