Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET SiC 700V 99A 400W MSC015SMA070B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 700V 99A 400W MSC015SMA070B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 700V 99A 400W MSC015SMA070B | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC 700V 99A 400W MSC015SMA070B

MSC015SMA070B
Microchip
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 99A; Idm: 350A; 400W
195,14 lei
161,27 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 700V 99A Idm: 350A 400W, MSC015SMA070B de la MICROCHIP (MICROSEMI) este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este fabricat de MICROCHIP (MICROSEMI), garantând calitate și fiabilitate superioare. Montarea THT și carcasa TO247-3 fac instalarea ușoară și rapidă.

Tehnologia avansată SiC asigură performanțe excelente și o durată lungă de viață a dispozitivului. Cu o putere disipată de 400W, acest tranzistor poate face față sarcinilor intensive. Curentul de drenă în impuls de 350A și curentul de drenă de 99A permit funcționarea eficientă a dispozitivului în diverse aplicații.

Polarizarea unipolară și tensiunea drenă-sursă de 700V asigură o funcționare stabilă și sigură. Rezistența în timpul funcționării de 19mΩ și subtipul canal îmbogățit contribuie la eficiența și performanța tranzistorului. Încărcătura poartă de 215nC și tipul N-MOSFET completează caracteristicile excelente ale acestui tranzistor.

Cu Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 700V 99A Idm: 350A 400W, MSC015SMA070B de la MICROCHIP (MICROSEMI), veți obține o soluție de înaltă calitate pentru proiectele dumneavoastră electronice. Alegeți performanță și fiabilitate cu acest tranzistor avansat!
Detalii
MSC015SMA070B

Fisa tehnica

Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată
400W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
350A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
99A
Tensiune drenă-sursă
700V
Rezistenţă în timpul funcţionării
19mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
215nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod UPC
594562613735
cod EAN13
5941117406109
Cod MPN
MSC015SMA070B
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET unipolar 600V 0,9A 41,7W TO220 - Componentă electronică de înaltă performanță | Electronic-mag.ro | Componen

Cod: AOT1N60

Marca: ALPHA INDUSTRIES

Tranzistor N-MOSFET unipolar 600V 0,9A 41,7W TO220 - Componentă electronică de înaltă performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0,9A; 41,7W; TO220
6,03 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET unipolar 600V 0,9A 41,7W TO220 - Componentă electronică de înaltă performanță
In stoc