• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
N-MOSFET PolarHT™ 150V 120A 600W TO3P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET PolarHT™ 150V 120A 600W TO3P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET PolarHT™ 150V 120A 600W TO3P

IXTQ120N15P
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO3P
0,00 lei
0,00 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET PolarHT™ unipolar 150V 120A 600W TO3P de la IXYS este un dispozitiv de ultimă generație, conceput pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate în aplicațiile electronice. Acest tranzistor este echipat cu caracteristici impresionante, cum ar fi o putere disipată de 600W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de putere mare. Polarizarea unipolară îl face ușor de integrat în diferite circuite, iar curentul de drenă de 120A și tensiunea drenă-sursă de 150V îl fac ideal pentru aplicații care necesită o putere mare.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 16mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență ridicată a circuitului. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura la poartă de 150nC îl face potrivit pentru aplicații de comutare rapidă. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și timpul de restabilire de 150ns îl fac ideal pentru aplicații sensibile la viteză. Tehnologia PolarHT™ asigură o dispersie termică eficientă, ceea ce contribuie la fiabilitatea și durabilitatea acestui tranzistor.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET PolarHT™ unipolar 150V 120A 600W TO3P de la IXYS este alegerea perfectă pentru cei care caută performanțe ridicate și fiabilitate în aplicațiile lor electronice. Fiind echipat cu caracteristici avansate și tehnologie de vârf, acest tranzistor va satisface cu siguranță cerințele celor mai exigente aplicații.
Detalii
IXTQ120N15P

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
600W
Montare
THT
Carcasă
TO3P
Polarizare
unipolar
Curent drenă
120A
Tensiune drenă-sursă
150V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
16mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
150nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
150ns
Tehnologie
PolarHT™

Coduri specifice

cod EAN13
5948314235075
Cod MPN
IXTQ120N15P
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Component

Cod: IRLD014PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1,2A; 1,3W; HVMDIP
0,00 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță
Stoc epuizat