• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 100V 136A 441W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 136A 441W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 136A 441W TO220AB

IRF100B201
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
32,07 lei
26,50 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 136A Idm: 690A 441W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele complexe ale aplicațiilor moderne. Acest tranzistor se remarcă prin puterea sa de disipare de 441W, curentul de drenă în impuls de 690A și curentul de drenă de 136A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere.

Cu o tensiune drenă-sursă de 100V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță fiabilă și consistentă într-o gamă variată de aplicații. Rezistența sa în timpul funcționării de 4,2mΩ asigură o eficiență și fiabilitate sporite în condiții de funcționare variate.

Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 136A Idm: 690A 441W TO220AB este disponibil într-un ambalaj tubular (TO220AB) și poate fi montat pe plăci cu montaj prin găuri (THT). Subtipul canal este îmbogățit, iar tehnologia utilizată este HEXFET®, ceea ce garantează o performanță superioară și o durabilitate îndelungată.

Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o soluție electronică de încredere și performantă. Alegeți calitatea și fiabilitatea cu tranzistoarele INFINEON TECHNOLOGIES!
Detalii
IRF100B201

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
441W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Curent de drenă în impuls
690A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
136A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
4,2mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
255nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5947906764887
Cod MPN
IRF100B201
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Component

Cod: IRLD014PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1,2A; 1,3W; HVMDIP
0,00 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 1,2A 1,3W HVMDIP - Componente Electronice de Înaltă Performanță
Stoc epuizat