• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 800V 9A 170W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 9A 170W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 9A 170W

STP17N80K5
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
43,17 lei
35,68 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ K5 unipolar de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, cu o gamă largă de caracteristici tehnice impresionante. Acest tranzistor are o putere disipată de 170W, un curent de drenă în impuls de 56A și un curent drenă de 9A. Cu o tensiune drenă-sursă de 800V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații.

Carcasa TO220-3 oferă o montare simplă și sigură, iar subtipul de ambalaj în tub asigură protecție împotriva factorilor externi. Polarizarea unipolară și subtipul de canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru proiectele tale electronice.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,34Ω, acest tranzistor oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Încărcătura poartă de 26nC și tehnologia MDmesh™ K5 completează pachetul de caracteristici impresionante ale acestui tranzistor N-MOSFET de la STMicroelectronics.
Detalii
STP17N80K5

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
170W
Montare
THT
Carcasă
TO220-3
Curent de drenă în impuls
56A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
9A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,34Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
26nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
MDmesh™ K5

Coduri specifice

cod UPC
594996852045
cod EAN13
5945993779272
Cod MPN
STP17N80K5
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: