• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
N-MOSFET Tranzistor 200V 65A 330W TO247AC | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 200V 65A 330W TO247AC | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 200V 65A 330W TO247AC

IRFP4227PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
35,53 lei
29,36 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 200V 65A 330W TO247AC de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic puternic, proiectat pentru a oferi performanțe superioare în diverse aplicații. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici deosebite precum carcasa TO247AC, care asigură o montare simplă și eficientă în circuitele electronice.

Cu o putere disipată de 330W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de curent de până la 65A, fără a compromite performanța sau fiabilitatea. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 200V, acest dispozitiv este ideal pentru aplicații care necesită un control precis al curentului și tensiunii.

De asemenea, tranzistorul N-MOSFET este echipat cu o rezistență redusă în timpul funcționării de 25mΩ, ceea ce asigură o eficiență maximă și o disipare minimă a căldurii. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 70nC permite o comutare rapidă și precisă a dispozitivului.

Cu o tensiune poartă-sursă de ±30V și tehnologia HEXFET®, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și consistente într-o varietate de aplicații electronice. Fiind produs de INFINEON TECHNOLOGIES, puteți avea încredere în calitatea și fiabilitatea acestui tranzistor N-MOSFET de înaltă performanță.
Detalii
IRFP4227PBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
330W
Montare
THT
Carcasă
TO247AC
Polarizare
unipolar
Curent drenă
65A
Tensiune drenă-sursă
200V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
25mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
70nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod UPC
594303570600
cod EAN13
5947187090620
Cod MPN
IRFP4227PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Stoc epuizat Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: IRFD210PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,38A; 1W; DIP4
0,00 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 200V 0,38A 1W DIP4 - Componente Electronice de Înaltă Performanță
Stoc epuizat