• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Unipolar 800V 10,6A 30W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 800V 10,6A 30W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Unipolar 800V 10,6A 30W TO220FP

IPAN80R280P7
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10,6A; 30W; TO220FP
41,06 lei
33,93 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 10,6A 30W TO220FP de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice care necesită o performanță superioară. Acest tranzistor vine ambalat într-un tub și poate fi montat prin orificii. Carcasa TO220FP asigură o disipare eficientă a puterii de până la 30W. Elementele semiconductoare sunt protejate împotriva electrostatică și sunt proiectate pentru a asigura o funcționare fiabilă. Polarizarea unipolară face acest tranzistor potrivit pentru diverse aplicații.

Cu un curent de drenaj de 10,6A și o tensiune de drenaj-sursă de 800V, acest tranzistor poate gestiona sarcini mari cu ușurință. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 0,28Ω fac acest tranzistor extrem de eficient din punct de vedere energetic. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura portului este de 36nC.

Acest tranzistor N-MOSFET este fabricat folosind tehnologia CoolMOS™ P7, ceea ce îl face un produs de ultimă generație, fiabil și performant. Cu caracteristici excelente și o construcție durabilă, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită un nivel înalt de performanță și eficiență.
Detalii
IPAN80R280P7

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
30W
Montare
THT
Carcasă
TO220FP
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
10,6A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,28Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
36nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolMOS™ P7

Coduri specifice

cod EAN13
5949998667657
Cod MPN
IPAN80R280P7XKSA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: