Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 100A DIOTEC SEMICONDUCTOR

Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 100A DIOTEC SEMICONDUCTOR este o soluție avansată pentru aplicații de putere ridicată, proiectat pentru a oferi performanțe excepționale în mediile industriale. Fabricat de DIOTEC SEMICONDUCTOR, acest tranzistor beneficiază de tehnologia de carburi de siliciu (SiC), care asigură o eficiență energetică superioară și o disipare a căldurii optimizată.

Cu o putere disipată de 550W și un curent de drenă de 100A, acest N-MOSFET este ideal pentru aplicații care necesită toleranță la curenți mari și tensiuni de până la 650V. Carcasa TO247-4 permite o montare THT facilă, iar subtipul ambalajului în tub garantează o protecție suplimentară a componentelor interne.

Beneficiind de o rezistență în timpul funcționării de doar 16mΩ, acest tranzistor asigură o performanță constantă, iar caracteristica de terminal Kelvin optimizează măsurătorile de curent. Polarizarea unipolară și curentul de drenă în impuls de 300A oferă utilizatorilor flexibilitate în aplicații variate. Tensiunea poartă-sursă este cuprinsă între -5...18V, iar încărcătura poartă de 236nC contribuie la o operare rapidă și eficientă.

Alege Tranzistorul N-MOSFET SiC 650V 100A DIOTEC SEMICONDUCTOR pentru a beneficia de tehnologie de vârf, fiabilitate și performanță în cele mai exigente condiții de lucru.