• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET WMOS D1 1.2kV 12A 278W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET WMOS D1 1.2kV 12A 278W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET WMOS D1 1.2kV 12A 278W

WMJ12N120D1-CYG
Wayo
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1,2kV; 12A; Idm: 48A; 278W
38,18 lei
31,55 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET WMOS™ D1 unipolar 1,2kV 12A Idm: 48A 278W de la WAYON este un produs de înaltă calitate, ce se remarcă prin caracteristici tehnice deosebite. Acest tranzistor beneficiază de o putere disipată de 278W, fiind ideal pentru aplicații care necesită performanțe ridicate. Cu un curent de drenă în impuls de 48A și o polarizare unipolară, acest tranzistor se evidențiază prin fiabilitate și eficiență.

Carcasa TO247-3 și montarea prin tehnologia THT fac din acest tranzistor o alegere potrivită pentru aplicații industriale și comerciale. Cu o tensiune drenă-sursă de 1,2kV și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în diverse condiții de funcționare.

Rezistența în timpul funcționării de 1,25Ω și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru aplicații specifice, iar încărcătura poartă de 94nC este ideală pentru controlul precis al dispozitivelor electronice. Cu tipul de tranzistor N-MOSFET și tehnologia WMOS™ D1, acest produs se remarcă prin fiabilitate și durabilitate.

Tranzistorul WAYON N-MOSFET WMOS™ D1 este alegerea perfectă pentru proiectele ce necesită un dispozitiv electronic performant și de încredere. Alegeți calitatea și eficiența cu acest tranzistor de înaltă performanță!
Detalii
WMJ12N120D1-CYG

Fisa tehnica

Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
278W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
48A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
12A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,25Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
94nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
WMOS™ D1

Coduri specifice

cod EAN13
5947261527929
Cod MPN
WMJ12N120D1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: