• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 800V 1A 13W IPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 800V 1A 13W IPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 800V 1A 13W IPAK

IPU80R4K5P7AKMA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; Idm: 2,6A; 13W; IPAK
7,61 lei
6,29 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1A Idm: 2,6A 13W IPAK, produs de INFINEON TECHNOLOGIES, este o alegere excelentă pentru aplicațiile dvs. electronice. Cu o putere disipată de 13W și caracteristici elemente semiconductoare protejate împotriva descărcărilor electrostatice (ESD), acest tranzistor oferă performanțe fiabile și durabile.

Cu un curent de drenă în impuls de 2,6A și o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona cu succes cerințele de curent ale dispozitivelor dvs. electronice. Cu un curent nominal de drenă de 1A și o tensiune drenă-sursă de 800V, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și sigură.

Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 4,5Ω fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile care necesită o gestionare precisă a tensiunii și a curentului. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 4nC completează performanțele excelente ale acestui tranzistor.

Cu un design IPAK și tehnologia CoolMOS™ P7, acest tranzistor oferă nu doar performanțe ridicate, ci și o durabilitate sporită în timp. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1A Idm: 2,6A 13W IPAK pentru aplicațiile dvs. electronice cu încredere și obțineți rezultate excelente.
Detalii
IPU80R4K5P7AKMA1

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată
13W
Montare
THT
Carcasă
IPAK
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Curent de drenă în impuls
2,6A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
1A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
4,5Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
4nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolMOS™ P7

Coduri specifice

cod EAN13
5942677774479
Cod MPN
IPU80R4K5P7AKMA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: