• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 500V 1.6A 100W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 500V 1.6A 100W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 500V 1.6A 100W TO220AB

IXTP1R6N50D2
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1,6A; 100W; TO220AB; 400ns
7,82 lei
6,46 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 500V 1,6A 100W TO220AB 400ns este un dispozitiv de înaltă performanță, perfect pentru aplicații electronice care necesită o combinație de putere și fiabilitate. Acest tranzistor este fabricat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică.

Cu un subtip de ambalaj în tub și montare THT, acest tranzistor vine într-o carcasă TO220AB robustă, care asigură o dissipare eficientă a căldurii. Cu o putere disipată de 100W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită un nivel ridicat de energie.

Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu un curent de drenaj de 1,6A și o tensiune drenaj-sursă de 500V, acest tranzistor oferă performanțe excelente în condiții de funcționare variate. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 2,3Ω asigură o funcționare stabilă și fiabilă.

Subtipul canalului sărac și o încărcătură a porții de 23,7nC fac ca acest tranzistor să fie ideal pentru aplicații sensibile la semnale. Ca un N-MOSFET, acest tranzistor oferă o performanță de comutare rapidă, cu un timp de restabilire de doar 400ns.

În concluzie, tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 500V 1,6A 100W TO220AB 400ns este alegerea perfectă pentru aplicațiile electronice care necesită un dispozitiv puternic, fiabil și eficient.
Detalii
IXTP1R6N50D2

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
100W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
1,6A
Tensiune drenă-sursă
500V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2,3Ω
Subtip canal
sărăcit
Încărcătură poartă
23,7nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
400ns

Coduri specifice

cod EAN13
5944100087156
Cod MPN
IXTP1R6N50D2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: