Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 100V 65A 230W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 65A 230W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 65A 230W

PSMN009-100P.127
NEXPERIA
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
27,27 lei
22,54 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NEXPERIA este un produs de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Cu o putere disipată impresionantă de 230W și un curent de drenă în impuls de 400A, acest tranzistor este perfect pentru proiectele care necesită o funcționare fiabilă și eficientă.

Carcasa TO220AB și SOT78 oferă o montare THT simplă și sigură, iar rezistența redusă în timpul funcționării de doar 23,8mΩ asigură o disipare eficientă a căldurii. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile de comutare și control.

Cu o tensiune drenă-sursă de 100V, curent drenă de 65A și tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile și fiabilitate pe termen lung. Cu o încărcătură poartă de 156nC, acest N-MOSFET este potrivit pentru aplicații exigente care necesită un control precis al semnalului.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NEXPERIA este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită o combinație ideală între performanță, fiabilitate și eficiență. Alegeți calitatea și performanța cu acest tranzistor de înaltă calitate!
Detalii
NEXPERIA
PSMN009-100P.127

Fisa tehnica

Producător
NEXPERIA
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
230W
Montare
THT
Carcasă
SOT78
TO220AB
Curent de drenă în impuls
400A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
65A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
23,8mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
156nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5948666291378
Cod MPN
PSMN009-100P,127
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 17A 79W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Component

Cod: IRF530NPBF

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 17A 79W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
8,26 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 17A 79W TO220AB - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc