• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 1000V 4.3A 160W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 1000V 4.3A 160W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 1000V 4.3A 160W TO220-3

STP8NK100Z
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4,3A; 160W; TO220-3
42,98 lei
35,52 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 1000V 4,3A 160W TO220-3, produs de STMicroelectronics, este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor este ambalat într-un tub și poate fi montat pe plăci cu tehnologie THT. Carcasa TO220-3 asigură o disipare eficientă a căldurii, permitând tranzistorului să funcționeze la puterea maximă de 160W.

Elementele semiconductoare ale acestui tranzistor sunt protejate împotriva descărcărilor electrostatice (ESD protected gate), garantând o durată lungă de viață și o stabilitate excelentă în diverse condiții de funcționare. Polarizarea unipolară, curentul de drenaj de 4,3A și tensiunea de drenaj-sursă de 1kV fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere.

Cu o tensiune poartă-sursă de ±30V și o rezistență în timpul funcționării de 1,85Ω, acest tranzistor N-MOSFET îmbogățit este potrivit pentru utilizări care necesită o comutare rapidă și eficientă a semnalului. Tehnologia SuperMesh™ oferă performanțe superioare și o fiabilitate excelentă, făcând acest tranzistor ideal pentru aplicații industriale, de putere sau electronice.
Detalii
STP8NK100Z

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
160W
Montare
THT
Carcasă
TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
4,3A
Tensiune drenă-sursă
1kV
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,85Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SuperMesh™

Coduri specifice

cod UPC
594377851261
cod EAN13
5940583262608
Cod MPN
STP8NK100Z
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: