N-MOSFET MDmesh™ Tranzistor 650V 11A

Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ de la STMicroelectronics este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele complexe ale aplicațiilor moderne. Cu o putere disipată de 125W și un curent de drenă în impuls de 68A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații de putere medie și mare. Carcasa TO220-3 permite o montare simplă și sigură, iar subtipul de canal îmbogățit asigură o funcționare eficientă.

Cu o tensiune drenă-sursă de 650V și o rezistență în timpul funcționării de 0,19Ω, tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ poate gestiona sarcini de putere mari cu ușurință. Tensiunea poartă-sursă de ±30V și încărcătura poartă de 44nC asigură o comutare rapidă și precisă a dispozitivului.

Acest tranzistor este polarizat unipolar și are un curent de drenă de 11A, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale. Tehnologia MDmesh™ oferă performanțe superioare în ceea ce privește rezistența la curent și fiabilitatea pe termen lung.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ de la STMicroelectronics este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o combinație de putere, eficiență și fiabilitate. Acesta este un component de încredere, care va face față cerințelor dvs. cu succes.