Tranzistor N-MOSFET 800V 6A 110W SuperMESH5™

Tranzistorul N-MOSFET SuperMESH5™ unipolar 800V 6A 110W de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor este echipat cu o gamă impresionantă de caracteristici tehnice care îl fac potrivit pentru o varietate de utilizări. Cu o putere disipată de 110W și rezistență în timpul funcționării de 1,2Ω, acest tranzistor este proiectat pentru performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Caracteristica de protecție împotriva descărcărilor electrostatice a porții îl face potrivit pentru aplicații sensibile.

Cu o tensiune de drenaj-sursă de 800V și un curent de drenaj de 6A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative fără probleme. Căracteristica de polarizare unipolară îl face ușor de integrat în circuitele existente. Carcasa TO220-3 și montarea THT facilitează instalarea și conectarea acestui tranzistor în diverse aplicații.

Subtipul canalului îmbogățit și tehnologia SuperMESH5™ asigură performanțe superioare și eficiență energetică. Cu o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor oferă o flexibilitate sporită în proiectarea circuitelor. În concluzie, tranzistorul N-MOSFET SuperMESH5™ de la STMicroelectronics este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită fiabilitate, eficiență și performanțe de top.