Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o putere mare și o eficiență ridicată. Acest tranzistor are o putere de disipare impresionantă de 330W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o performanță de vârf. Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenaj de până la 140A și o tensiune drenaj-sursă de 75V.
Carcasa TO220AB oferă o montare ușoară, ceea ce face acest tranzistor potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 7mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o performanță fiabilă. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura portului este de 150nC.
Acest tranzistor N-MOSFET este fabricat folosind tehnologia HEXFET®, ceea ce garantează o performanță superioară și o durabilitate de lungă durată. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații. În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru cei care caută o performanță de vârf și o fiabilitate de neegalat.
Detalii
IRF3808PBF
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
330W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
140A
Tensiune drenă-sursă
75V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
7mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
150nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®
Coduri specifice
cod EAN13
5946534245591
Cod MPN
IRF3808PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.