Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 5,5A 60W IPAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare de până la 60W. Acest tranzistor are o polarizare unipolară și este echipat cu o poartă protejată împotriva descărcărilor electrostatice (ESD).
Cu o tensiune drenă-sursă de 800V și o rezistență în timpul funcționării de 0,6Ω, acest tranzistor asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diverse aplicații. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 20nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile la semnal.
Tranzistorul N-MOSFET este montat într-un ambalaj de tip tub și are o carcasă IPAK, facilitând instalarea și integrarea în diverse dispozitive electronice. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V și un curent drenă de 5,5A, acest tranzistor oferă performanțe excelente și eficiență energetică. Tehnologia CoolMOS™ P7 aduce un plus de fiabilitate și durabilitate acestui tranzistor, asigurând o funcționare optimă pe termen lung.
Detalii
IPU80R600P7
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
60W
Montare
THT
Carcasă
IPAK
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
5,5A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,6Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
20nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolMOS™ P7
Coduri specifice
cod EAN13
5941966863955
Cod MPN
IPU80R600P7AKMA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.