• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 120V 56A 168W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 120V 56A 168W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 120V 56A 168W TO220AB

TK56E12N1
TOSHIBA
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 168W; TO220AB
21,13 lei
17,46 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 120V 56A 168W TO220AB de la TOSHIBA este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Acest tranzistor vine cu o carcasă TO220AB, care asigură o montare ușoară și sigură de tip Through-Hole Technology (THT).

Cu o putere disipată de 168W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de curent de până la 56A, oferind o performanță fiabilă și constantă. Polarizarea unipolară îl face potrivit pentru o gamă largă de aplicații, iar tensiunea drenă-sursă de 120V și tensiunea poartă-sursă de ±20V îl fac versatil și ușor de integrat în diferite circuite.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 5,8mΩ, acest tranzistor asigură o disipare eficientă a căldurii și o funcționare stabilă pe termen lung. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 69nC îl fac potrivit pentru aplicații sensibile la semnal, iar tipul N-MOSFET îi conferă o performanță superioară în comutarea curentului.

Tranzistorul N-MOSFET unipolar 120V 56A 168W TO220AB de la TOSHIBA este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o comutare eficientă și fiabilă a curentului. Fiind fabricat de TOSHIBA, puteți avea încredere în calitatea și performanța acestui tranzistor pentru aplicațiile dumneavoastră electronice.
Detalii
TOSHIBA
TK56E12N1

Fisa tehnica

Producător
TOSHIBA
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
168W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
56A
Tensiune drenă-sursă
120V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
5,8mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
69nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5945702364676
Cod MPN
TK56E12N1,S1X(S
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: