Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 130A 360W TO220AB de la IXYS este un element semiconductoare cu putere mare, perfect pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Cu o rezistență scăzută în timpul funcționării de doar 10,1mΩ, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile.
Cu o polarizare unipolară și un curent de drenă de 130A, acesta este potrivit pentru aplicații cu cerințe de putere ridicate. Tensiunea drenă-sursă de 100V asigură o funcționare stabilă și sigură. De asemenea, tranzistorul are o încărcătură de poartă de 130nC, ceea ce îl face ideal pentru aplicații cu comutare rapidă.
Cu o carcasă TO220AB și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor este ușor de montat și potrivit pentru montajul prin găuri tehnologice. Subtipul ambalajului este tub, asigurând o protecție adecvată împotriva factorilor externi.
Tranzistorul N-MOSFET de la IXYS este un element esențial pentru proiectele electronice care necesită o putere mare, o disipare eficientă a căldurii și performanțe fiabile. Alegeți calitatea și fiabilitatea cu tranzistorul IXYS!
Detalii
IXFP130N10T2
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
360W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Caracteristici elemente semiconductoare
thrench gate power mosfet
Polarizare
unipolar
Curent drenă
130A
Tensiune drenă-sursă
100V
Rezistenţă în timpul funcţionării
10,1mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
130nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Coduri specifice
cod EAN13
5947363079395
Cod MPN
IXFP130N10T2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.