Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A 241W

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 27A Idm: 80A 241W, B1M080120HK de la BASiC SEMICONDUCTOR este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale de top, cum ar fi tehnologia SiC care îmbunătățește performanța și durabilitatea dispozitivului. Cu o putere disipată de 241W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de lucru intense fără probleme.

Montat în carcasă TO247-4 și având un subtip de ambalaj sub formă de tub, acest tranzistor oferă o instalare simplă și ușoară. Caracteristica terminalului Kelvin asigură o conexiune precisă și fiabilă. Cu o rezistență în timpul funcționării de 80mΩ, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile și eficiență energetică.

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la BASiC SEMICONDUCTOR are o tensiune drenă-sursă de 1.2kV și poate suporta un curent de drenă de până la 27A, cu un curent de drenă în impuls de 80A. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile dumneavoastră.

Cu o tensiune poartă-sursă cuprinsă între -5 și 20V și o încărcătură de poartă de 149nC, acest tranzistor oferă flexibilitate și performanță superioară. Fiind un N-MOSFET, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la BASiC SEMICONDUCTOR pentru performanțe de vârf și fiabilitate garantată!