Tranzistor N-MOSFET unipolar 800V 29A MICROCHIP TECHNOLOGY

Tranzistor N-MOSFET unipolar 800V 29A MICROCHIP TECHNOLOGY este soluția perfectă pentru aplicațiile de putere înaltă care necesită eficiență și fiabilitate. Proiectat de MICROCHIP TECHNOLOGY, acest tranzistor se remarcă prin carcasa TO247MAX, ideală pentru montarea THT, asigurând o integrare ușoară în diverse circuite.

Cu o putere disipată de 1135W și un curent de drenă de 29A, acest N-MOSFET se distinge prin capacitatea sa de a suporta un curent de drenă în impuls de până la 173A, oferind astfel performanțe superioare în condiții extreme. Tensiunea drenă-sursă de 800V și tensiunea poartă-sursă de ±30V îl fac potrivit pentru aplicații de înaltă tensiune.

Rezistența în timpul funcționării de doar 0,21Ω garantează o eficiență energetică ridicată, în timp ce subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 305nC asigură un control excelent al semnalului. Tehnologia avansată POWER MOS 8® asigură o performanță stabilă și de lungă durată.

Alegeți Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 29A MICROCHIP TECHNOLOGY pentru a beneficia de fiabilitate, eficiență și tehnologie de vârf în proiectele dumneavoastră electronice.