Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la STMicroelectronics este un produs de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acesta este ambalat într-un tub TO220-3 și este montat pe tehnologia THT, ceea ce îl face ușor de integrat în diverse configurații de circuite. Cu o putere disipată impresionantă de 160W, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de mare putere fără probleme.
Elementele semiconductoare ale acestui tranzistor sunt protejate împotriva descărcărilor electrostatice (ESD), asigurând o durabilitate și fiabilitate deosebită în timpul funcționării. Polarizarea unipolară asigură un control precis al curentului drenă, cu o valoare maximă de 5A. Cu o tensiune drenă-sursă de 900V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o izolație electrică ridicată.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 1,3Ω și un subtip de canal îmbogățit, acest N-MOSFET este ideal pentru aplicații care necesită un control precis al semnalului. Cu tehnologia SuperMesh™, acest tranzistor oferă performanțe superioare în ceea ce privește eficiența energetică și fiabilitatea. Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul N-MOSFET unipolar de la STMicroelectronics este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. electronice.