Tranzistor N-MOSFET GigaMOS™ 100V 420A 1670W TO264 - Tranzistor de putere N-MOSFET

Descoperiți puterea și eficiența tranzistorului N-MOSFET GigaMOS™ de la IXYS, un component electronic de vârf destinat aplicațiilor industriale și comerciale care necesită performanțe deosebite. Cu o capacitate impresionantă de 420A și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor îmbină tehnologia avansată HiPerFET™, GigaMOS™ și Trench™, oferind o rezistență în timpul funcționării de doar 2,6mΩ, ceea ce se traduce prin pierderi minime de energie și o disipare maximă a puterii de 1670W.

Carcasa robustă TO264 permite o montare ușoară prin tehnologia THT, asigurând astfel integrarea rapidă în orice sistem electronic. Polarizarea unipolară și timpul de restabilire de 140ns îl fac ideal pentru aplicații cu comutare rapidă, în timp ce încărcătura poartă de 670nC garantează o performanță stabilă și eficientă.

Alegeți tranzistorul N-MOSFET GigaMOS™ pentru a beneficia de fiabilitate, putere și tehnologie de vârf, și transformați-vă proiectele electronice într-o realitate de succes!