• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 75V 130A 330W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 75V 130A 330W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 75V 130A 330W TO220AB

IRF1407PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
23,30 lei
19,26 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor este încapsulat într-un tub TO220AB, ceea ce îl face ușor de montat în aplicații THT. Cu o putere disipată impresionantă de 330W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de până la 130A de curent drenat. Tensiunea drenă-sursă este de 75V, iar tensiunea poartă-sursă este de ±20V, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă.

Datorită rezistenței reduse în timpul funcționării de doar 7,8mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicații cu cerințe ridicate de eficiență energetică. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 160nC, ceea ce permite comutarea rapidă a dispozitivului. Acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia HEXFET®, care asigură o fiabilitate și o durabilitate sporite în condiții de funcționare exigente.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită un dispozitiv de comutare puternic și eficient. Fiind fabricat de un producător de încredere și beneficiază de tehnologia de ultimă generație, acest tranzistor este soluția ideală pentru proiectele electronice complexe și de înaltă performanță.
Detalii
IRF1407PBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
330W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
130A
Tensiune drenă-sursă
75V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
7,8mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
160nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod UPC
594829814844
cod EAN13
5949892225328
Cod MPN
IRF1407PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: