Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 40V 100A 170W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 40V 100A 170W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 40V 100A 170W TO220AB

IRF1104PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
11,28 lei
9,32 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 40V 100A 170W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, cu o serie de caracteristici impresionante. Acest tranzistor are o putere disipată de 170W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o putere mare. Polarizarea unipolară îl face ușor de utilizat și de integrat în diferite circuite.

Cu o curent drenă de 100A și o tensiune drenă-sursă de 40V, acest tranzistor poate gestiona sarcini mari fără probleme. Rezistența sa în timpul funcționării de 9mΩ asigură o dissipare eficientă a căldurii, menținând temperatura la un nivel optim.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 62nC garantează o funcționare stabilă și fiabilă. Tehnologia HEXFET® oferă performanțe superioare și o durabilitate crescută.

Cu un subtip de ambalaj în tub și o montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse aplicații. Carcasa TO220AB oferă protecție și o disipare eficientă a căldurii pentru o funcționare optimă.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 40V 100A 170W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru cei care caută un produs de înaltă calitate, fiabil și performant pentru proiectele lor electronice.
Detalii
IRF1104PBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
170W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
100A
Tensiune drenă-sursă
40V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
9mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
62nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5943847966717
Cod MPN
IRF1104PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 310mA, Idm 1A, 1W, TO92 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Co

Cod: VN10KN3-G

Marca: Microchip

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 310mA, Idm 1A, 1W, TO92 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; Idm: 1A; 1W; TO92
10,13 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 310mA, Idm 1A, 1W, TO92 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc