Tranzistor N-MOSFET 800V 6A 160W TO247 STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET 800V 6A 160W TO247 STMicroelectronics reprezintă soluția ideală pentru aplicații de putere înaltă, oferind performanțe excelente și fiabilitate. Proiectat de STMicroelectronics, acest tranzistor N-MOSFET este dotat cu o carcasă TO247, ceea ce facilitează montarea THT. Cu o putere disipată de 160W și un curent drenă de 6A, acesta se dovedește a fi extrem de eficient în gestionarea sarcinilor electrice exigente.

Tensiunea drenă-sursă de 800V și tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură un control precis asupra fluxului de energie, în timp ce rezistența în timpul funcționării de doar 0,9Ω contribuie la minimizarea pierderilor de energie. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit oferă o flexibilitate sporită în diferite aplicații, iar tehnologia SuperMesh™ garantează o performanță optimizată.

Acest tranzistor este ideal pentru utilizări în surse de alimentare, convertoare de frecvență și aplicații industriale, oferind soluții eficiente și durabile pentru inginerii și proiectanții de sisteme electronice. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET 800V 6A 160W TO247 STMicroelectronics pentru a beneficia de tehnologie de vârf și fiabilitate în proiectele dumneavoastră.