Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET 500V 5.1A 125W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 500V 5.1A 125W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 500V 5.1A 125W TO220AB

IRF840PBF
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
15,71 lei
12,98 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 500V 5,1A Idm: 32A 125W TO220AB de la VISHAY este o alegere excelentă pentru aplicațiile tale electronice. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată de 125W, un curent de drenă în impuls de 32A și o tensiune drenă-sursă de 500V. Polarizarea sa este unipolară, iar curentul de drenă este de 5,1A. Tensiunea poartă-sursă este de ±20V, iar rezistența în timpul funcționării este de 0,85Ω. Acest tranzistor N-MOSFET are un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură poartă de 63nC. Grosimea radiatorului este între 1,14 și 1,4mm. Cu un ambalaj tub și montare THT, acest tranzistor este perfect pentru proiectele tale electronice.
Detalii
IRF840PBF

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
125W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Curent de drenă în impuls
32A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
5,1A
Tensiune drenă-sursă
500V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,85Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
63nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Grosime radiator
1,14...1,4mm

Coduri specifice

cod EAN13
5945077136335
Cod MPN
IRF840PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: