• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 100V 57A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 57A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 57A 200W TO220AB

IRF3710PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
21,34 lei
17,64 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 57A 200W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor vine într-un tub de tip ambalaj montabil pe suprafața componentelor THT, având o carcasă TO220AB durabilă. Cu o putere disipată impresionantă de 200W, acest tranzistor este ideal pentru sarcini de mare intensitate. Polarizarea unipolară, curentul de drenaj de 57A și tensiunea drenaj-sursă de 100V fac din acest tranzistor o alegere fiabilă pentru proiectele dumneavoastră. Rezistența în timpul funcționării de 23mΩ și subtipul canal îmbogățit asigură performanțe excelente. Cu o încărcătură de poartă de 86,7nC și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor N-MOSFET este potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu tehnologia HEXFET®, puteți conta pe calitatea și fiabilitatea tranzistorului INFINEON TECHNOLOGIES.
Detalii
IRF3710PBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
200W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
57A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
23mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
86,7nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5944972369916
Cod MPN
IRF3710PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: