Tranzistorul N-MOSFET unipolar 30V 62A 65W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, cu caracteristici deosebite. Acesta are o putere de disipare de 65W și o rezistență în timpul funcționării de 8,7mΩ, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit îl fac ideal pentru utilizare în circuitele logice. Cu o tensiune de drenaj-sursă de 30V și o curent de drenaj de 62A, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în aplicațiile sale. Tehnologia HEXFET® asigură o funcționare fiabilă și eficientă, iar încărcătura de poartă de 7,6nC optimizează răspunsul tranzitoriu al dispozitivului. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru o varietate de aplicații din domeniul electronicelor. Embalat într-un tub și montat THT, acesta este ușor de integrat în diverse proiecte electronice. Alege Tranzistorul N-MOSFET unipolar 30V 62A 65W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES pentru performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.
Detalii
IRLB8721PBF
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
65W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Caracteristici elemente semiconductoare
logic level
Polarizare
unipolar
Curent drenă
62A
Tensiune drenă-sursă
30V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
8,7mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
7,6nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®
Coduri specifice
cod EAN13
5948956114561
Cod MPN
IRLB8721PBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.