• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 100V 68A 221W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 68A 221W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 68A 221W TO220AB

IRF100B202
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
18,36 lei
15,17 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 68A 221W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, conceput pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile electrice. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată de 221W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de putere medie până la mare. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor poate gestiona cu succes curentul drenă de până la 68A.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 8,6mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență ridicată și o disipare redusă a căldurii. Subtipul de canal îmbogățit și încărcătura poartă de 77nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile de comutare cu cerințe ridicate de performanță. Tehnologia HEXFET® utilizată în acest tranzistor garantează fiabilitate și durabilitate pe termen lung.

Cu un design compact și o carcasă TO220AB, acest tranzistor este ușor de montat și integrat în diverse aplicații. Ambalat în tub, acest tranzistor este protejat împotriva deteriorărilor mecanice și a factorilor ambientali nocivi. În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electrice care necesită un tranzistor fiabil și performant.
Detalii
IRF100B202

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
221W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Polarizare
unipolar
Curent drenă
68A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
8,6mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
77nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod UPC
594778708331
cod EAN13
5943931948452
Cod MPN
IRF100B202
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: