• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 200V 5.7A 75W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 5.7A 75W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 5.7A 75W

IRF630
Tranzistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5,7A; 75W
15,23 lei
12,59 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET MESH OVERLAY™ II unipolar 200V 5,7A 75W, produs de STMicroelectronics, este un component electronic de înaltă performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO220-3 și poate fi montat prin tehnica THT. Cu o putere disipată de 75W, acesta este proiectat pentru a gestiona sarcini semnificative. Caracteristicile elementelor semiconductoare includ o poartă protejată ESD, asigurând o protecție fiabilă împotriva descărcărilor electrostatice.

Polarizarea unipolară a tranzistorului permite un control precis al curentului de drenaj, cu o valoare nominală de 5,7A. Cu o tensiune drenaj-sursă de 200V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o funcționare stabilă și eficientă. Rezistența în timpul funcționării de 0,4Ω asigură o disipare redusă a căldurii, contribuind la durabilitatea produsului.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET, oferind o performanță superioară în aplicațiile respective. Tehnologia MESH OVERLAY™ II optimizează funcționarea tranzistorului, asigurând o funcționare fiabilă și eficientă în diverse condiții de utilizare. Cu Tranzistorul N-MOSFET MESH OVERLAY™ II, puteți conta pe performanță și fiabilitate de încredere în proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii
IRF630

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
75W
Montare
THT
Carcasă
TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
5,7A
Tensiune drenă-sursă
200V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,4Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
MESH OVERLAY™ II

Coduri specifice

cod UPC
594893922827
cod EAN13
5941665787347
Cod MPN
IRF630
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: